μΈκ³΅ μΌλ° μ§λ₯(AGI)μ μΈκ°μ μ§λ₯μ λͺ¨λ°©νμ¬ λͺ¨λ μΈμ§μ μμ μ μνν μ μλ AI μμ€ν μ λλ€. κ·Έλ¬λ νμ¬ AGI λ°μ μ κ°λ‘λ§κ³ μλ μ€λν μ₯λ²½ μ€ νλλ λ°λ체 μ°μ λ΄μμμ κ²½μκ³Ό λ μ μ μν₯λ ₯μ λλ€. νΉν, μλΉλμμ TSMC κ°μ κΈ°μ λ€μ΄ AI μΉ© μμ₯μμ κ±°λν μν₯λ ₯μ νμ¬νκ³ μμΌλ©°, μ΄λ λ€λ₯Έ κΈ°μ λ€μ΄ μμ₯μ μ§μ νλ κ²μ μ΄λ ΅κ² λ§λλλ€. AMDμ κ°μ νμ¬λ€λ μΉ©μ λ¨μ κ°μ±λΉλ κ²½μλ ₯μ΄ μμ§λ§ μ 체μ μΈ λ°μ΄ν° μΌν° μ΄μ λΉμ©(TCO)μμλ μλΉλμμ λ€μ²μ§λ μν©μ λλ€. μ΄λ‘ μΈν΄ AGI κ°λ°μ λ€μμ±κ³Ό κ²½μμ΄ μ ν΄λκ³ μμ΅λλ€.
λν μννΈμ¨μ΄ λ₯λ ₯μμ μλΉλμμ λΉν΄ μλμ μΌλ‘ μ΄μμ μλ λ€λ₯Έ κΈ°μ λ€μ λκ·λͺ¨λ‘ μννΈμ¨μ΄λ₯Ό μλ‘κ² κ°λ°ν΄μΌ ν νμμ±μ μ§λ©΄ν΄ μμ΅λλ€. μ΄λ λΉμ© μ¦κ°λ‘ μ΄μ΄μ Έ AI λ°μ μ μ λ°μ μΈ μλμ νμ μ λ°©ν΄νλ μμλ‘ μμ©νκ³ μμ΅λλ€.
λ°λ체 μμ° μλμμμ λμ
AI μΉ©μ μμ°νλ λ° μμ΄ κ°μ₯ ν° λμ μ€ νλλ μ μ‘° κ³Όμ μμμ νμ΄λ리(capacity) λ¬Έμ μ λλ€. μλ₯Ό λ€μ΄, μΌμ±κ³Ό κ°μ νμ¬κ° TSMCλ‘λΆν° μμ£Όλ₯Ό λΉΌμκΈ°λ κ²½μ°, λ¨μν μμ° λ₯λ ₯ λΆμ‘±μΌλ‘ μΈν΄ μ 체μ μΈ κ³΅κΈλ§μ μ°¨μ§μ λΉμ μ μμ΅λλ€. μ΄λ¬ν μν©μ AGIμ κ΄λ ¨λ μΉ©μ λΉλ‘―ν λ€μν κ³ μ±λ₯ μ»΄ν¨ν μΉ©μ μμ°μ μ¬κ°ν μν₯μ λ―ΈμΉ μ μμ΅λλ€.
μμ₯ λ μ λ¬Έμ μ λμ λ°©μ
νμ¬ AI μΉ© μμ₯μμμ λ μ μ μν©μ κΈ°μ λ°μ μ λν 건κ°ν κ²½μμ μ ν΄νκ³ μμ΅λλ€. μ΄λ₯Ό ν΄κ²°νκΈ° μν΄ μ λΆ μ°¨μμ κ·μ λμ , κ°λ°©ν νλ ₯ λͺ¨λΈ μ΄μ§, κ·Έλ¦¬κ³ R&Dμ λν λ λ§μ ν¬μκ° νμν©λλ€. λμμ, μλ‘μ΄ κΈ°μλ€μ΄ μμ₯μ μ§μ ν μ μλλ‘ κΈ°μ μ΄μ λ° νμ μ κΈ°νλ₯Ό νλνλ κ²λ μ€μν©λλ€.
κ²°λ‘ λ° ν₯ν μ λ§
AI κΈ°μ , νΉν AGIμ μ μ¬λ ₯μ λ§€μ° ν½λλ€. νμ§λ§ νμ¬λ‘μλ λ€μν μ°μ ꡬ쑰μ μ₯μ λ¬Όλ€μ΄ κ·Έ λ°μ μ κ°λ‘λ§κ³ μμ΅λλ€. μ΄μ λμνκΈ° μν΄μλ κΈ°μ μ νμ λΏλ§ μλλΌ, μ°μ μ λ°μ μ μ± μ , ꡬ쑰μ λ³νκ° μꡬλ©λλ€. μ΄λ₯Ό ν΅ν΄ λ 건κ°νκ³ κ²½μλ ₯ μλ AI μμ₯μ μ‘°μ±νκ³ , AGIμ μ€ν κ°λ₯μ±μ λμΌ μ μμ κ²μ λλ€. AGIκ° κ°μ Έμ¬ λ―Έλλ μ¬μ ν λ°μΌλ©°, μ΄λ₯Ό μν΄ νμ¬μ λμ λ€μ 극볡νλ κ²μ΄ νμμ μ λλ€.